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Ferroelectric-gate field effect transistor memories : device physics and applications

Byung-Eun Park ... [et al.], editors. -- Springer, 2016. -- (Topics in applied physics ; 131). <BB00546687>
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Byung-Eun Park ... [et al.], editors. -- Springer, 2016. -- (Topics in applied physics ; 131). <BB00546687>
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No. 巻号 所蔵館 配置場所 請求記号 資料ID 状態 返却予定日 予約 WEB書棚
0001 12号館 開架室 501.2/T/131 001001439586X 配架済 0件
No. 0001
巻号
所蔵館 12号館
配置場所 開架室
請求記号 501.2/T/131
資料ID 001001439586X
状態 配架済
返却予定日
予約 0件
WEB書棚
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書誌詳細

標題および責任表示 Ferroelectric-gate field effect transistor memories : device physics and applications / Byung-Eun Park ... [et al.], editors
出版・頒布事項 Dordrecht : Springer , c2016
形態事項 xviii, 347 p. : ill. (some col.) ; 25 cm
巻号情報
ISBN 9789402408393
書誌構造リンク Topics in applied physics <TY10009621> 131//a
注記 Includes bibliographical references
学情ID BB22187267
本文言語コード 英語
著者標目リンク Park, Byung-Eun <>
ローカル分類標目 NDC:501.2
ローカル分類標目 NDC9:501.2
レコードID BB00546687
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