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6H-SiC上へ成長したAINのモルフォロジーと電気的特性

近藤, 英晃; 長谷部, 行紀; 犬島, 喬, 2001.03.31. -- (東海大学紀要. 工学部. Vol.40 No.2(2000)). w. <TC20003649>
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6H-SiC上へ成長したAINのモルフォロジーと電気的特性

近藤, 英晃; 長谷部, 行紀; 犬島, 喬, 2001.03.31. -- (東海大学紀要. 工学部. Vol.40 No.2(2000)). w. <TC20003649>
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kj00000121277.pdf

書誌詳細

タイトル 6H-SiC上へ成長したAINのモルフォロジーと電気的特性
タイトル(その他) Crystal Morphology and Electrical Properties of AIN Grown on 6H-SiC
作成者 近藤, 英晃
コンドウ, ヒデアキ
Kondo, Hideaki
作成者 長谷部, 行紀
ハセベ, ユキノリ
Hasebe, Yukinori
作成者 犬島, 喬
イヌシマ, タカシ
Inushima, Takashi
公開者 東海大学工学部
公開者 School of Engineering, Tokai University
掲載巻号 東海大学紀要. 工学部. Vol.40 No.2(2000) <TB20000300>
ISSN 24343633
雑誌名 東海大学紀要. 工学部
巻次等 40
号 2
開始終了ページ 37-41
発行日 2001.03.31
主題 AlN
主題 6H-SiC
主題 MOCVD
主題 MlS structure
資料種別(NIIタイプ) 紀要論文
フォーマット PDFファイル
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