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	p-型ダイヤモンド/n-型シリコンヘテロ接合デバイスのバックワードダイオード特性ペチャクン, トンポン; 木村, 英樹; 秋葉, 幸男; 黒須, 楯生; 飯田, 昌盛, 1997.03.31. -- (東海大学紀要. 工学部. Vol.36 No.2(1996)). w. <TC20003398> 登録タグ：登録されているタグはありません便利機能：エクスポート先選択エクスポート先を選択してください。このウインドウを閉じるレビューを見る詳細情報を見る書誌URL：

p-型ダイヤモンド/n-型シリコンヘテロ接合デバイスのバックワードダイオード特性ペチャクン, トンポン; 木村, 英樹; 秋葉, 幸男; 黒須, 楯生; 飯田, 昌盛, 1997.03.31. -- (東海大学紀要. 工学部. Vol.36 No.2(1996)). w. <TC20003398> 登録タグ：登録されているタグはありません便利機能：エクスポート先選択エクスポート先を選択してください。このウインドウを閉じるレビューを見る詳細情報を見る書誌URL：

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kj00000120978.pdf

タイトル	p-型ダイヤモンド/n-型シリコンヘテロ接合デバイスのバックワードダイオード特性
タイトル(その他)	Backward-Diode Characteristics of p-Type Diamond / n-Type Silicon Heterojunction Device
作成者	ペチャクン, トンポン Phetchakul, Toempong
作成者	木村, 英樹キムラ, ヒデキ Kimura, Hideki
作成者	秋葉, 幸男アキバ, ユキオ Akiba,Yukio
作成者	黒須, 楯生クロス, タテキ Kurosu, Tateki
作成者	飯田, 昌盛イイダ, マサモリ Iida, Masamori
公開者	東海大学工学部
公開者	School of Engineering, Tokai University
公開者	東海大学出版会
掲載巻号	東海大学紀要. 工学部. Vol.36 No.2(1996) <TB20000292>
ISSN	24343633
雑誌名	東海大学紀要. 工学部
巻次等	36
号	2
開始終了ページ	21-27
発行日	1997.03.31
主題	diamond/Si heterojunction
主題	backward diode
主題	tunnel effect
主題	rectification
主題	energy band mode
資料種別(NIIタイプ)	紀要論文
フォーマット	PDFファイル