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	ホットウォールタイプLPCVD法をもちいたSi上への単結晶3C-SiC成長技術長澤, 弘幸; 山口, 洋一; 和泉, 富雄, 1994.03.30. -- (東海大学紀要. 工学部. Vol.33 No.2(1993)). w. <TC20003245> 登録タグ：登録されているタグはありません便利機能：エクスポート先選択エクスポート先を選択してください。このウインドウを閉じるレビューを見る詳細情報を見る書誌URL：

ホットウォールタイプLPCVD法をもちいたSi上への単結晶3C-SiC成長技術長澤, 弘幸; 山口, 洋一; 和泉, 富雄, 1994.03.30. -- (東海大学紀要. 工学部. Vol.33 No.2(1993)). w. <TC20003245> 登録タグ：登録されているタグはありません便利機能：エクスポート先選択エクスポート先を選択してください。このウインドウを閉じるレビューを見る詳細情報を見る書誌URL：

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kj00000120789.pdf

タイトル	ホットウォールタイプLPCVD法をもちいたSi上への単結晶3C-SiC成長技術
タイトル(その他)	Growth Techniques of Single Crystalline 3C-SiC on Si Substrate by Hot-Wall Type LPCVD
作成者	長澤, 弘幸ナガサワ, ヒロユキ Nagasawa, Hiroyuki
作成者	山口, 洋一ヤマグチ, ヨウイチ Yamaguchi, Yoh-ichi
作成者	和泉, 富雄イズミ, トミオ Izumi, Tomio
公開者	東海大学工学部
掲載巻号	東海大学紀要. 工学部. Vol.33 No.2(1993) <TB20000286>
ISSN	24343633
雑誌名	東海大学紀要. 工学部
巻次等	33
号	2
開始終了ページ	61-73
発行日	1994.03.30
主題	SiC
主題	CVD
主題	Hetero-epitaxy
主題	Adsorption
主題	Single-crystalline
主題	SiH2Cl2
主題	C2H2
主題	Si
主題	ESR
主題	Carbonization
資料種別(NIIタイプ)	紀要論文
フォーマット	PDFファイル