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N+イオン,Si+イオン注入したInP中の欠陥のアニーリング特性

吉永, 周司; 松森, 徳衛; 上原, 富美哉, 1993.10.30. -- (東海大学紀要. 工学部. Vol.33 No.1(1993)). w. <TC20003219>
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N+イオン,Si+イオン注入したInP中の欠陥のアニーリング特性

吉永, 周司; 松森, 徳衛; 上原, 富美哉, 1993.10.30. -- (東海大学紀要. 工学部. Vol.33 No.1(1993)). w. <TC20003219>
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kj00000120757.pdf

書誌詳細

タイトル N+イオン,Si+イオン注入したInP中の欠陥のアニーリング特性
タイトル(その他) Annealing Properties of Defects in InP Implanted with N+-ion and Si+-ion
作成者 吉永, 周司
ヨシナガ, ヒロシ
Yoshinaga, Hiroshi
作成者 松森, 徳衛
マツモリ, トクエ
Matsumori, Tokue
作成者 上原, 富美哉
ウエハラ, フミヤ
Uehara, Fumiya
公開者 東海大学工学部
掲載巻号 東海大学紀要. 工学部. Vol.33 No.1(1993) <TB20000285>
ISSN 24343633
雑誌名 東海大学紀要. 工学部
巻次等 33
号 1
開始終了ページ 117-125
発行日 1993.10.30
主題 Ion-implantation
主題 Defects-annealing
主題 Optical absorption
主題 Raman scattering
主題 Amorphous state
主題 Polycrystalline state
主題 Monocrystalline state
資料種別(NIIタイプ) 紀要論文
フォーマット PDFファイル
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