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a-Ge:H薄膜の水素結合モードと欠陥補償

中下, 俊夫; 萩原, 真吾; 上原, 富美哉; 河野, 健次, 1992.03.30. -- (東海大学紀要. 工学部. Vol.31 No.2(1991)). w. <TC20003138>
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書誌詳細

タイトル a-Ge:H薄膜の水素結合モードと欠陥補償
タイトル(その他) Hydrogen-Bonding-Mode and Defect Compensation in Hydrogenated Amorphous Ge Thin Films
作成者 中下, 俊夫
ナカシタ, トシオ
Nakashita, Toshio
作成者 萩原, 真吾
ハギワラ, シンゴ
Hagiwara, Shingo
作成者 上原, 富美哉
ウエハラ, フミヤ
Uehara, Fumiya
作成者 河野, 健次
コウノ, ケンジ
Kohno, Kenji
公開者 東海大学工学部
掲載巻号 東海大学紀要. 工学部. Vol.31 No.2(1991) <TB20000282>
ISSN 24343633
雑誌名 東海大学紀要. 工学部
巻次等 31
号 2
開始終了ページ 119-126
発行日 1992.03.30
主題 amorphous Ge
主題 hydrogen bonding
主題 electronic property
主題 plasma CVD
主題 defect compensation
資料種別(NIIタイプ) 紀要論文
フォーマット PDFファイル