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Si MISトンネル・エミッタ・トランジスタ(Si MIS TET)の電気的特性

吉本, 智巳; 佐方, 利道, 1992.03.30. -- (東海大学紀要. 工学部. Vol.31 No.2(1991)). w. <TC20003135>
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Si MISトンネル・エミッタ・トランジスタ(Si MIS TET)の電気的特性

吉本, 智巳; 佐方, 利道, 1992.03.30. -- (東海大学紀要. 工学部. Vol.31 No.2(1991)). w. <TC20003135>
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kj00000120655.pdf

書誌詳細

タイトル Si MISトンネル・エミッタ・トランジスタ(Si MIS TET)の電気的特性
タイトル(その他) Electrical Property of Si MIS Tunnel Emitter Transistor (Si MIS TET)
作成者 吉本, 智巳
ヨシモト, トモミ
Yoshimoto, Tomomi
作成者 佐方, 利道
サカタ, トシミチ
Sakata, Toshimiti
公開者 東海大学工学部
掲載巻号 東海大学紀要. 工学部. Vol.31 No.2(1991) <TB20000282>
ISSN 24343633
雑誌名 東海大学紀要. 工学部
巻次等 31
号 2
開始終了ページ 101-106
発行日 1992.03.30
主題 Si
主題 Si MIS TET
主題 bipolar transistor
主題 inversion hole layer
主題 turn on voltage
主題 electric field
資料種別(NIIタイプ) 紀要論文
フォーマット PDFファイル
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