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MBE成長高濃度p型GaAsの過剰減衰LOフォノン-プラズモン結合モードによるラマン散乱

深澤, 亮一; 若木, 守明; 太田, 公広; 奥村, 元, 1986.03.31. -- (東海大学紀要. 工学部. Vol.25 No.2(1985)). w. <TC20002922>
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MBE成長高濃度p型GaAsの過剰減衰LOフォノン-プラズモン結合モードによるラマン散乱

深澤, 亮一; 若木, 守明; 太田, 公広; 奥村, 元, 1986.03.31. -- (東海大学紀要. 工学部. Vol.25 No.2(1985)). w. <TC20002922>
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kj00000120443.pdf

書誌詳細

タイトル MBE成長高濃度p型GaAsの過剰減衰LOフォノン-プラズモン結合モードによるラマン散乱
タイトル(その他) Raman Scattering by Over Damped LO Phonon-Plasmon Coupled Modes in Heavily Doped p-GaAs Grown by Molecular Beam Epitaxy
作成者 深澤, 亮一
フカサワ, リョウイチ
Fukasawa, Ryoichi
作成者 若木, 守明
ワカキ, モリアキ
Wakaki, Moriaki
作成者 太田, 公広
オオタ, キミヒロ
Ohta, Kimihiro
作成者 奥村, 元
オクムラ, ハジメ
Okumura, Hajime
公開者 東海大学工学部
掲載巻号 東海大学紀要. 工学部. Vol.25 No.2(1985) <TB20000270>
ISSN 24343633
雑誌名 東海大学紀要. 工学部
巻次等 25
号 2
開始終了ページ 243-250
発行日 1986.03.31
資料種別(NIIタイプ) 紀要論文
フォーマット PDFファイル
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