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Siトンネルエミッタトランジスタ(Si MIS TET)の電気的特性と高速動作性に関する検討

吉本, 智巳; 木村, 英樹; 黒須, 楯生, 1997.11.30. -- (東海大学紀要. 工学部. Vol.37 No.1(1997)). w. <TC20003435>
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Siトンネルエミッタトランジスタ(Si MIS TET)の電気的特性と高速動作性に関する検討

吉本, 智巳; 木村, 英樹; 黒須, 楯生, 1997.11.30. -- (東海大学紀要. 工学部. Vol.37 No.1(1997)). w. <TC20003435>
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kj00000121021.pdf

書誌詳細

タイトル Siトンネルエミッタトランジスタ(Si MIS TET)の電気的特性と高速動作性に関する検討
タイトル(その他) Electrical Characteristics and Possibility for High Speed Operation Devices of Si MIS Tunnel Emitter Transistor (Si MIS TET)
作成者 吉本, 智巳
ヨシモト, トモミ
Yoshimoto, Tomomi
作成者 木村, 英樹
キムラ, ヒデキ
Kimura, Hideki
作成者 黒須, 楯生
クロス, タテキ
Kurosu, Tateki
公開者 東海大学工学部
公開者 School of Engineering, Tokai University
公開者 東海大学出版会
掲載巻号 東海大学紀要. 工学部. Vol.37 No.1(1997) <TB20000293>
ISSN 24343633
雑誌名 東海大学紀要. 工学部
巻次等 37
号 1
開始終了ページ 45-49
発行日 1997.11.30
主題 Si MIS TET
主題 inversion-base layer
主題 high speed device
資料種別(NIIタイプ) 紀要論文
フォーマット PDFファイル
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