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GaAs 反転ベース層バイポーラトランジスタの電気的特性

吉本, 智巳; 黒須, 楯生; 飯田, 昌盛, 1991.03.30. -- (東海大学紀要. 工学部. Vol.30 No.2(1990)). w. <TC20003100>
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GaAs 反転ベース層バイポーラトランジスタの電気的特性

吉本, 智巳; 黒須, 楯生; 飯田, 昌盛, 1991.03.30. -- (東海大学紀要. 工学部. Vol.30 No.2(1990)). w. <TC20003100>
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kj00002225867.pdf

書誌詳細

タイトル GaAs 反転ベース層バイポーラトランジスタの電気的特性
タイトル(その他) Electrical Property of GaAs Inversion-Base Bipolar Transistor
作成者 吉本, 智巳
ヨシモト, トモミ
Yoshimoto, Tomomi
作成者 黒須, 楯生
クロス, タテキ
Kurosu, Tateki
作成者 飯田, 昌盛
イイダ, マサモリ
Iida, Masamori
公開者 東海大学工学部
掲載巻号 東海大学紀要. 工学部. Vol.30 No.2(1990) <TB20000280>
ISSN 24343633
雑誌名 東海大学紀要. 工学部
巻次等 30
号 2
開始終了ページ 59-63
発行日 1991.03.30
主題 GaAs IBT
主題 two dimensional hole gas
主題 inversion layer
主題 cutoff frequency
資料種別(NIIタイプ) 紀要論文
フォーマット PDFファイル
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